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- 型号： FDW6923
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDW6923由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDW6923价格参考。Fairchild SemiconductorFDW6923封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDW6923参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDW6923 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDW6923 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美ON Semiconductor）推出的双N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用SO-8封装，集成两个独立的N沟道MOSFET（共源极结构，非互补对）。其典型应用包括： 1. DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的下管（低侧开关），配合外置高侧MOSFET或控制器，提升效率（Rds(on)典型值仅18mΩ @ Vgs=4.5V）； 2. 负载开关与电源管理：在便携设备（如平板、笔记本）中用作电池供电路径切换、USB端口过流保护或模块级电源启停控制； 3. 电机驱动与LED驱动：适用于中小功率H桥驱动中的低侧开关，或恒流LED背光驱动的PWM调光开关； 4. 热插拔与浪涌抑制电路：利用其快速开关特性和内置ESD保护（±2kV HBM），实现板级热插拔保护。 该器件支持3.3V/5V逻辑电平直接驱动，无需电平转换，简化设计；具备100% Rg测试和雪崩耐量（EAS=120mJ），增强系统可靠性。注意：FDW6923为双N沟道，不适用于高侧驱动或需要P沟道的应用场景（如反向电流阻断、高端开关等），选型时需匹配驱动电压与负载需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-TSSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDW6923 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1030pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Ta） |
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