Datasheet下载- 型号： FDW2504P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDW2504P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDW2504P价格参考。Fairchild SemiconductorFDW2504P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDW2504P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDW2504P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDW2504P 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用小型TSOP-6封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 38 mΩ @ VGS = −4.5 V）、逻辑电平驱动（支持−1.8 V至−4.5 V阈值）、高开关速度及内置ESD保护等特性。 其典型应用场景包括： ✅ 负载开关：常用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中控制电源域的通断，实现低功耗待机与快速唤醒； ✅ 电源路径管理（Power Path Management）：在USB供电/电池双源系统中，配合控制器实现无缝切换与反向电流阻断； ✅ H桥驱动的上臂开关（需搭配外部N-MOS下臂）：适用于小型直流电机、振动马达或LED背光调光等低压（≤12 V）、中低电流（连续ID ≤ 2.5 A）场景； ✅ 热插拔与浪涌电流抑制：利用其可控的开启特性，限制上电冲击电流，提升系统可靠性； ✅ 电池保护电路：作为过放/过流保护中的充放电控制开关（常与专用保护IC协同工作）。 该器件不适用于高功率或高频PWM主功率变换（如DC-DC主开关），但凭借小尺寸、低静态功耗和高集成度，在空间受限、强调能效与成本平衡的消费电子与IoT终端中优势显著。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.8A 8-TSSO |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDW2504P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1030pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 43 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A |
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