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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU8874由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU8874价格参考。Fairchild SemiconductorFDU8874封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDU8874参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDU8874 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU8874 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用紧凑的SO-8封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 5.5 mΩ @ VGS = 10 V)、高电流能力(ID = 60 A连续,180 A脉冲)及优良的开关性能。其典型应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器,提升效率并降低温升; 2. 电机驱动:适用于中小功率直流无刷电机(BLDC)或步进电机的H桥驱动电路,支持高频PWM控制; 3. 负载开关与电源管理:在主板、显卡、嵌入式系统中用作高效、快速响应的主/辅电源开关,配合热插拔或电源时序控制; 4. 电池管理系统(BMS):用于保护电路中的充放电路径控制,兼顾低损耗与过流保护响应速度; 5. LED照明驱动:在高亮度LED恒流驱动中作为开关管,实现高效调光与能效优化。 该器件具备雪崩耐量(UIS rated),具备一定鲁棒性,适合中高功率、中高频(数十kHz至数百kHz)开关应用。需注意PCB布局散热设计及栅极驱动匹配(推荐12 V驱动以确保充分导通),以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 116A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FDU8874 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2990pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.1 毫欧 @ 35A,10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Ta), 116A (Tc) |