Datasheet下载- 型号： FDU068AN03L
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU068AN03L由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU068AN03L价格参考。Fairchild SemiconductorFDU068AN03L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU068AN03L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU068AN03L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU068AN03L 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型化DFN5060-8封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅6.8 mΩ @ VGS=10V）、高电流能力（ID达60A）及优异的热性能。其30V额定电压和逻辑电平驱动特性（VGS(th)低至1.0–2.2V），使其特别适用于中低压、高频、高效率开关场景。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：如笔记本电脑、服务器主板上的同步降压（Buck）转换器中作主开关或同步整流管，提升能效并减小温升； ✅ 负载开关与电源管理：用于USB PD供电路径控制、电池保护电路、热插拔（Hot-swap）模块等，支持快速启停与过流保护； ✅ 电机驱动：在小型无刷直流（BLDC）电机控制器或步进电机H桥驱动中承担高低侧开关功能，尤其适合空间受限的便携式设备（如无人机电调、电动工具）； ✅ LED照明驱动：用于PWM调光电路中的恒流开关，响应快、损耗低； ✅ 工业与消费类设备：如智能电表、POS终端、打印机电源模块等对尺寸、效率和可靠性要求较高的场合。 该器件集成ESD保护、具备雪崩耐量（UIS rated），配合DFN封装的优良散热性，可在紧凑设计中实现稳定可靠运行。需注意PCB布局时强化散热焊盘连接，并合理设计栅极驱动以避免振荡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU068AN03L |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2525pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 80W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Ta）， 35A （Tc） |
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