Datasheet下载- 型号： FDS8962C
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS8962C由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS8962C价格参考。Fairchild SemiconductorFDS8962C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS8962C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS8962C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS8962C 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET阵列，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为14.5mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及优异的热性能。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的高边/低边开关，尤其适用于笔记本电脑、平板、通信设备等中高效率、小体积的POL（Point-of-Load）电源模块； 2. 负载开关与电源管理：在多路供电系统中作为高效、低损耗的电源通断控制（如CPU/GPU供电域隔离、USB端口过流保护后的自动重试控制）； 3. 电机驱动：适用于小型直流有刷电机或步进电机的H桥驱动电路（需配合外部驱动逻辑），常见于打印机、扫地机器人、智能家电等低功耗运动控制场景； 4. LED背光与照明驱动：用于PWM调光控制回路中的电流开关，支持高频、低发热运行； 5. 电池管理系统（BMS）：在便携式设备或轻型储能系统中，用作充放电路径的双向保护开关（需搭配外部控制与检测电路）。 该器件集成双MOSFET，节省PCB面积并提升匹配性，且具备ESD保护和雪崩耐受能力，适合对可靠性与空间敏感的中功率（<10A连续电流，峰值≤30A）应用。实际设计中需注意栅极驱动兼容性（逻辑电平，3.3V/5V可直接驱动）及PCB散热布局。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS8962C |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 575pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS8962CDKR |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A，5A |
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