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- 型号： FDS7088N3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS7088N3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS7088N3价格参考。Fairchild SemiconductorFDS7088N3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS7088N3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS7088N3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS7088N3 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 SO-8 封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 14.5 mΩ @ Vgs = 10 V，22 mΩ @ Vgs = 4.5 V）、高电流能力（ID = 11.5 A，脉冲可达 45 A）及快速开关特性。 其主要应用场景包括： ✅ DC-DC 电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、主板 VRM、通信电源等中高功率密度场合； ✅ 负载开关与电源管理：在便携设备（如平板、POS 机）中作为电池保护、热插拔或系统供电通断控制； ✅ 电机驱动：适用于小功率直流电机（如风扇、泵）的 H 桥或单边驱动电路，支持 4.5 V 逻辑电平直接驱动（兼容 3.3 V/5 V MCU）； ✅ LED 驱动与背光控制：用于恒流源开关或 PWM 调光路径中的高速通断； ✅ 工业控制与嵌入式系统：如 PLC 模块、传感器接口、继电器替代等需可靠、高效开关的场景。 该器件具备良好的雪崩耐量、ESD 保护（HBM > 2 kV）及热稳定性，适合空间受限且对效率、响应速度有要求的应用。注意设计时需合理布局散热（PCB 铜箔面积建议 ≥ 1 cm²）并优化栅极驱动以抑制振铃。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS7088N3 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3845pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 21A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | FDS7088N3_NLCT |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Ta） |
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