Datasheet下载- 型号： FDS6688S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6688S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6688S价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6688S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS6688S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6688S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6688S 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为12.5mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID=7A连续，峰值18A）及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），与高端MOSFET配合实现高效电源管理，常见于笔记本电脑、显卡供电模块及通信设备电源。 2. 负载开关与电源路径管理：在便携式设备（如平板、POS终端）中用作电池充放电路径控制、USB供电切换或系统电源域隔离，支持逻辑电平驱动（3.3V/5V），简化驱动设计。 3. 电机驱动与LED驱动：适用于小型直流电机（如风扇、微型泵）的H桥下臂驱动，或大电流LED背光/照明的PWM调光开关。 4. 热插拔与电子保险丝：凭借快速响应和过流保护兼容性，可用于板级电源热插拔电路及智能限流保护方案。 该器件集成ESD保护，具备雪崩耐受能力，可靠性高，适用于工业控制、消费电子及汽车信息娱乐系统等对效率、尺寸和成本敏感的中功率应用。需注意PCB布局优化散热，并确保栅极驱动稳定以避免振荡。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS6688S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3290pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 16A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta） |
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