Datasheet下载- 型号： FDS6064N7
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6064N7由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6064N7价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6064N7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS6064N7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6064N7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6064N7 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅15mΩ @ Vgs=4.5V）、高开关速度及良好的热性能。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、平板、通信设备等中高效率、中功率（如5–20A输出）的POL（Point-of-Load）电源模块。 - 负载开关与电源管理：在主板、GPU供电、USB PD电源路径管理中用作高效、低损耗的电源通断控制开关，支持快速开启/关断并降低压降和发热。 - 电机驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、散热泵、便携设备马达）的H桥或单边驱动电路，可承受峰值电流达60A（脉冲），具备雪崩耐量（EAS=130mJ），提升系统鲁棒性。 - 电池保护与充电管理：用于锂电池保护板中的充放电回路控制，配合保护IC实现过流、短路保护。 该器件支持3.3V/5V逻辑直接驱动（逻辑电平兼容），简化了驱动设计；SO-8封装便于PCB布局与散热，适合空间受限的紧凑型设计。需注意实际应用中应合理设计栅极驱动（避免振荡）、PCB铜箔散热及电压/电流应力余量，以确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS6064N7 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7191pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 毫欧 @ 23A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | FDS6064N7DKR |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Ta） |
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