【未分类_FDS5170N7】封装/厂家_FDS5170N7中文资料_价格

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型号： FDS5170N7
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS5170N7由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS5170N7价格参考。Fairchild SemiconductorFDS5170N7封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FDS5170N7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS5170N7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDS5170N7 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为24mΩ @ Vgs=4.5V）、高开关速度和良好的热性能。其主要应用场景包括：

- DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、平板、机顶盒等便携式设备的板载电源模块（如CPU/GPU供电、DDR内存供电）。

- 负载开关（Load Switch）：凭借低阈值电压（Vgs(th)低至1.0–1.8V）和逻辑电平驱动能力，可直接由3.3V或5V MCU/PMIC控制，实现电源域的上电时序管理、功耗隔离与热插拔保护。

- 电机驱动：适用于小型直流电机（如风扇、打印机步进电机细分驱动）的H桥下臂开关，支持PWM调速。

- LED背光驱动与RGB灯控：在中低功率LED恒流驱动电路中用作PWM开关，实现高效调光。

- 电池管理系统（BMS）与电源路径管理：用于充放电路径切换、电池保护电路中的过流/短路保护开关。

该器件具备雪崩额定能力（UIS），可靠性高，符合AEC-Q101标准（部分版本），亦可用于工业控制与汽车电子辅助系统（如车载信息娱乐电源）。需注意合理设计PCB布局与栅极驱动（推荐加装10–47Ω栅极电阻抑制振铃），并确保散热满足连续电流（ID=6.5A）需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-SOIC
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FDS5170N7
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2889pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	71nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	12 毫欧 @ 10.6A，10V
供应商器件封装	8-SOIC
其它名称	FDS5170N7DKR
功率-最大值	3W
包装	Digi-Reel®
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	10.6A （Ta）