【FDS4675_F085/规格参数】厂家_FDS4675_F085中文资料_价格

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型号： FDS4675_F085
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDS4675_F085产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 40V 8-SOICMOSFET P-CHANNEL MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	- 11 A
品牌	Fairchild Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS4675_F085PowerTrench®
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产品型号	FDS4675_F085
Pd-PowerDissipation	2.4 W
Pd-功率耗散	2.4 W
Qg-GateCharge	56 nC
Qg-栅极电荷	56 nC
RdsOn-漏源导通电阻	21 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	- 40 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	- 1.4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	- 1.4 V
上升时间	46 ns
下降时间	96 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4350pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	56nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	13 毫欧 @ 11A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	FDS4675_F085CT
功率-最大值	1.2W
包装	剪切带（CT）
单位重量	143 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	21 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SO-8
工厂包装数量	2500
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 175 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	44 S
汲极/源极击穿电压	- 40 V
漏极连续电流	- 11 A
漏源极电压(Vdss)	40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	11A （Ta）
系列	FDS4675
配置	Single