【FDS2672_F085/规格参数】厂家_FDS2672_F085中文资料_价格

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型号： FDS2672_F085
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDS2672_F085产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOICMOSFET 200V3.9A 70OHMNCH ULTRAFET TRENCH
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	3.9 A
Id-连续漏极电流	3.9 A
品牌	Fairchild Semiconductor
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS2672_F085UltraFET™
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产品型号	FDS2672_F085
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
Qg-GateCharge	33 nC
Qg-栅极电荷	33 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	59 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	59 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	200 V
Vds-漏源极击穿电压	200 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	10 ns
下降时间	10 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2535pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	46nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	70 毫欧 @ 3.9A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SOIC
其它名称	FDS2672_F085CT
典型关闭延迟时间	35 ns
功率-最大值	1W
包装	剪切带（CT）
单位重量	143 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	59 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	15 S
汲极/源极击穿电压	200 V
漏极连续电流	3.9 A
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.9A （Ta）
系列	FDS2672
配置	Single