Datasheet下载- 型号： FDS2170N3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS2170N3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS2170N3价格参考。Fairchild SemiconductorFDS2170N3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS2170N3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS2170N3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS2170N3 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 14 mΩ @ VGS = 10 V）、高开关速度和优良热性能。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、主板VRM、通信电源等中高电流（≤15 A连续）场合； - 负载开关与电源管理：在便携设备（如平板、SSD电源控制）中作为高效、低损耗的电源通断开关，支持快速启停与过流保护配合； - 电机驱动：适用于小功率有刷直流电机或步进电机的H桥下臂驱动，兼顾效率与散热； - LED驱动与背光控制：在中大尺寸LCD背光或RGB LED恒流驱动电路中作PWM调光开关； - 电池保护与热插拔电路：凭借低RDS(on)和雪崩耐量，可用于电池管理系统（BMS）中的充放电路径控制。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th)低至1–2.5 V），可直接由MCU或驱动IC控制，简化设计；SO-8封装便于布局与散热，适合空间受限的高密度PCB。需注意在高频开关应用中合理设计栅极驱动与PCB走线，以抑制振铃并优化EMI性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS2170N3 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1292pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 128 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | FDS2170N3DKR |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
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![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/3M F9460PC 1／2" X 3"-100.jpg)
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