Datasheet下载- 型号： FDS2070N7
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS2070N7由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS2070N7价格参考。Fairchild SemiconductorFDS2070N7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS2070N7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS2070N7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS2070N7 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为12.5 mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度和良好热性能。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、服务器VRM、通信电源等中高电流（持续ID达14A）的高效电源管理模块。 - 负载开关与电源路径管理：在便携设备（如平板、POS终端）中用作电池充放电保护、系统供电切换或热插拔控制，得益于其低Rds(on)和快速开关特性，可减小功耗与发热。 - 电机驱动：适用于中小功率直流电机（如风扇、泵、小型伺服）的H桥或单边驱动电路，支持PWM调速控制。 - LED驱动与背光控制：在LCD背光恒流驱动中作为开关器件，实现高效调光。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1~2V），兼容3.3V/5V MCU直接控制；具备雪崩耐量（UIS rated），提升系统鲁棒性。需注意PCB布局散热设计（建议敷铜散热）及栅极驱动稳定性（推荐加RC缓冲抑制振铃）。不适用于高压（>60V）或大电流并联场景，替代选型可考虑同系列FDS2070N或升级款FDMC2070。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS2070N7 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1884pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 78 毫欧 @ 4.1A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | FDS2070N7DKR |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FDS2070N7 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商