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- 型号： FDMJ1028N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMJ1028N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMJ1028N价格参考。Fairchild SemiconductorFDMJ1028N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMJ1028N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMJ1028N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMJ1028N 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用紧凑的SOT-723封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为190mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg≈1.3nC）和高开关效率等特点。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或USB端口保护电路，得益于小尺寸与低功耗特性； 2. DC-DC转换器次级侧同步整流：在小型升压/降压模块中替代肖特基二极管，提升转换效率（尤其在1–5V低压、中低电流场景）； 3. 电池供电系统保护与切换：用于双电池切换、充放电路径控制或过流/反向电压保护电路； 4. 工业与IoT传感器节点：在空间受限的微控制器外围电路中实现信号隔离、I/O驱动或低功耗唤醒开关功能。 该器件额定电压20V、连续漏极电流360mA（Ta=25℃），不适用于大功率或高压主开关应用，但特别适合对尺寸、能效和成本敏感的中低功率集成方案。需注意其热设计限制，建议PCB布局时加强散热焊盘连接。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CHANNEL |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDMJ1028N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-MicroFET（2x5） |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A |
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