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- 型号： FDMJ1027P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMJ1027P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMJ1027P价格参考。Fairchild SemiconductorFDMJ1027P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMJ1027P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMJ1027P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMJ1027P 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用小型SOT-723封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为240mΩ @ Vgs = –4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.9nC）和超低功耗特性。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或USB端口过流/反向保护，利用其小尺寸与低静态电流优势节省PCB空间并延长续航。 2. 高密度DC-DC转换器：适用于同步降压转换器的高边或低边开关（尤其在12V输入以下的POL模块中），配合低Qg实现高频高效开关（可达1–2MHz），减少外围电感/电容体积。 3. LED驱动与背光控制：用于OLED/LCD屏幕的局部调光（Local Dimming）或RGB LED恒流驱动中的PWM开关，凭借快速开关（tr/tf < 10ns）和稳定热性能保障显示均匀性。 4. 工业与IoT传感器节点：在电池供电的无线传感模块中作为使能开关，实现微安级关断电流（IDSS < 100nA），满足UL/IEC低功耗待机标准。 该器件额定电压为–20V，连续漏极电流–0.5A（Ta=25℃），适合低压、小电流、高集成度场景，不适用于大功率或高压主开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.2A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDMJ1027P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | - |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | - |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Ta） |
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