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  • 型号: FDMA0104
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA0104由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA0104价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA0104封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMA0104参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMA0104 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDMA0104 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款集成型功率MOSFET器件,属于双N沟道逻辑电平增强型MOSFET(尽管分类常被归为“单个”,实为共源极双管封装,但其典型应用等效于单通道高侧/低侧驱动),采用紧凑的6引脚WDFN-6(2×2 mm)封装,内置栅极ESD保护和优化的Rds(on)(典型值仅10.4 mΩ @ Vgs=4.5V)。

主要应用场景包括:  
✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的电池充放电路径控制(如充电开关、负载开关)、USB Type-C端口保护与电源路由;  
✅ DC-DC转换器同步整流:在降压(Buck)转换器中作为低侧开关,提升效率并减小发热;  
✅ 热插拔与电子保险丝(eFuse)电路:凭借快速开关特性与过流保护兼容性,用于板级电源浪涌抑制与短路防护;  
✅ LED驱动与背光控制:驱动中小功率LED阵列,实现PWM调光与电流开关;  
✅ 电机驱动辅助开关:适用于微型马达(如振动马达、风扇)的启停控制,尤其适合空间受限的IoT终端。

其逻辑电平驱动(Vgs(th)低至0.5–1.2V)、低导通电阻与小尺寸封装,特别适配3.3V/5V系统,兼顾能效与PCB面积约束。需注意:虽型号含“0104”易误读为单管,实际为双MOSFET共源结构,典型应用中常单用其中一管,设计时应参考官方数据手册确认引脚配置与热管理要求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 20V 9.4A MICROFETMOSFET 20V Single NCh PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9.4 A

Id-连续漏极电流

9.4 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA0104PowerTrench®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FDMA0104

Pd-PowerDissipation

0.7 W

Pd-功率耗散

700 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

14.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

14.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1680pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17.5nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14.5 毫欧 @ 9.4A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

MicroFET 2x2

其它名称

FDMA0104DKR

功率-最大值

700mW

包装

Digi-Reel®

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

MicroFET-6 2x2

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.4A (Ta)

系列

FDMA0104

配置

Single

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