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- 型号： FDM3300NZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDM3300NZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDM3300NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDM3300NZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDM3300NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDM3300NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDM3300NZ 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道逻辑电平增强型MOSFET阵列，采用紧凑的6引脚SO-8封装，集成两个匹配的低导通电阻（RDS(on) ≈ 25 mΩ @ VGS = 4.5 V）MOSFET，具备共源极结构与独立栅极控制。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），配合外置上管实现高效率、小体积的POL（Point-of-Load）电源设计，适用于笔记本电脑、主板VRM、网络设备等。 ✅ 负载开关与电源路径管理：利用双通道特性，可分别控制两路负载供电（如USB端口电源、I/O外设供电），支持快速使能/关断及反向电流阻断（需合理布线）。 ✅ H桥驱动（低功率）：在小电流电机驱动（如微型风扇、步进电机细分驱动）或LED调光电路中，作为半桥下臂使用（需搭配外部上臂MOSFET）。 ✅ 电池保护与热插拔电路：凭借低阈值电压（VGS(th) ≈ 1.0–1.7 V）和逻辑电平兼容性，易于被3.3 V/5 V MCU直接驱动，适合便携式设备中的电池充放电管理模块。 该器件具有ESD保护、100% Rg测试、无铅且符合RoHS标准，强调可靠性与热性能，适用于空间受限、中低功率（连续ID ≤ 6 A，脉冲ID ≤ 20 A）、高开关频率（≤ 1 MHz）的工业与消费类电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 10A MCRFET |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDM3300NZ |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1610pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 10A，4.5V |
| 供应商器件封装 | Power33 |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-MLP，Power33 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A |
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