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- 型号： FDM2509NZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDM2509NZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDM2509NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDM2509NZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDM2509NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDM2509NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDM2509NZ 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用紧凑的6引脚WDFN封装（2×2 mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅24 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及高功率密度。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：广泛用于智能手机、平板电脑、TWS耳机等的负载开关、电池保护电路及DC-DC转换器后级同步整流，实现高效启停控制与功耗优化。 2. LED背光与驱动电路：在中小尺寸LCD/OLED显示屏中，作为LED电流调节或背光开关阵列，支持PWM调光，利用其低导通压降减少发热与能效损失。 3. H桥/半桥驱动模块：配合外部驱动IC，可构建微型电机驱动（如振动马达、微型风扇）或传感器激励电路，双MOSFET结构便于互补控制设计。 4. USB Type-C接口保护与切换：用于PD协议中的VBUS开关、端口方向控制及过流保护路径，满足高可靠性与小尺寸要求。 5. 工业与IoT终端：适用于智能电表、传感器节点、可穿戴设备等对空间和能效敏感的嵌入式系统，承担信号隔离、电源域切换及逻辑电平转换功能。 该器件集成度高、热性能优异，支持无铅回流焊工艺，符合AEC-Q101（部分批次）及RoHS标准，兼顾消费类与轻工业应用需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 8.7A 2X5MLP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDM2509NZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 8.7A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-MicroFET（2x5） |
| 功率-最大值 | 2.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.7A |
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