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- 型号： FDJ1027P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDJ1027P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDJ1027P价格参考。Fairchild SemiconductorFDJ1027P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDJ1027P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDJ1027P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDJ1027P 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用SOT-363（SC-70-6）小型封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为120mΩ @ Vgs = –4.5V）、低栅极电荷及快速开关特性。其主要应用场景包括： • 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关与电源路径控制，利用其双P-MOSFET结构实现高效、紧凑的反向电流阻断与电池充放电隔离。 • USB Type-C接口保护与切换：在USB PD协议电路中，用作VBUS过压/反向电流防护或CC逻辑信号路径的受控开关，满足低功耗与高可靠性要求。 • LED驱动与背光控制：在小型LCD/OLED显示屏背光模块中，作为PWM调光开关，驱动多路LED串，得益于其快速响应与低静态电流。 • 工业与IoT传感器节点：用于微控制器I/O口扩展的电平转换、传感器供电使能控制，支持1.8V–4.5V逻辑兼容，适合低功耗休眠唤醒场景。 该器件不适用于大电流（连续ID仅–330mA）或高压（VDS = –20V）主功率应用，但凭借集成双管、小尺寸与AEC-Q101兼容性（部分批次），在空间受限、强调能效与可靠性的中低功率嵌入式系统中具有显著优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.8A FLMP SC-75 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDJ1027P |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 2.8A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC75-6 FLMP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A |
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