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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDI3632由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDI3632价格参考。Fairchild SemiconductorFDI3632封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDI3632参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDI3632 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDI3632 是安森美(ON Semiconductor)推出的P沟道增强型MOSFET,采用SOT-23超小型表面贴装封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值为1.2Ω @ Vgs = –4.5V)、低栅极电荷及快速开关特性。其额定电压为–20V,连续漏极电流为–2.9A(Tc=25℃),适用于低压、小功率、空间受限的应用场景。 典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备的电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路,用于控制外设供电通断,实现低功耗待机与快速响应; 2. LED驱动与背光控制:在小型LCD/OLED显示屏中作为高侧或低侧开关,实现PWM调光; 3. DC-DC转换器辅助开关:在同步降压或升降压拓扑中作同步整流管(尤其适用于低占空比、高效率要求的轻载工况); 4. 逻辑电平接口与电平转换:配合3.3V/1.8V MCU GPIO驱动,实现反相控制或信号隔离; 5. USB端口过流保护与热插拔管理:与限流IC配合,提供紧凑可靠的短路保护方案。 其SOT-23封装支持自动化贴片生产,成本低、可靠性高,特别适合对尺寸、功耗和BOM精简有严苛要求的消费类与工业IoT终端产品。需注意设计时合理布局PCB散热焊盘以保障温升性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDI3632 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 80A,10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | FDI3632-ND |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta), 80A (Tc) |