Datasheet下载- 型号： FDI2532
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDI2532由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDI2532价格参考。Fairchild SemiconductorFDI2532封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDI2532参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDI2532 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDI2532 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款集成双N沟道MOSFET器件（实际为单个封装内含两个独立N-MOSFET，但产品分类常归为“MOSFET – 单个”系列中的双芯片方案），采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约25mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度和良好热性能。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的上下管配置，尤其适用于中低功率（如5–30W）的POL（Point-of-Load）电源模块，提升转换效率并减小尺寸。 ✅ 负载开关与电源路径管理：在便携设备（如POS终端、工业手持终端、智能电表）中用作主电源开关或电池充放电路径控制，支持快速启停与反向电流阻断。 ✅ 电机驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、微型泵、自动门锁执行器）的H桥驱动单元中的半桥开关，兼顾成本与可靠性。 ✅ LED驱动与背光控制：在中等电流LED恒流驱动或LCD背光调光电路中作为PWM开关管，实现高效亮度调节。 该器件具备100% ESD保护（HBM ≥2kV）、符合AEC-Q101车规级可靠性标准（部分版本），因此亦可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对鲁棒性要求较高的工业及汽车电子场景。需注意其最大Vds为30V，推荐工作电压≤24V，不适用于高压应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDI2532 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 107nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 33A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta）， 79A （Tc） |
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