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FDH50N50_F133产品简介:
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FDH50N50_F133 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型高压功率MOSFET,典型参数为:VDS = 500 V,ID(连续)= 50 A,RDS(on) ≈ 0.1 Ω(典型值),采用TO-247封装,具备快速开关特性和强雪崩耐受能力。 其主要应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):适用于AC-DC适配器、服务器/通信电源、工业电源中的主开关管或PFC(功率因数校正)升压开关; ✅ 电机驱动:用于中小功率工业变频器、泵/风机控制、电动工具驱动电路中的逆变桥上臂/下臂开关; ✅ 照明电子镇流器与LED驱动:在高压LED恒流驱动或高频荧光灯镇流器中承担高频斩波与能量转换功能; ✅ 不间断电源(UPS)与逆变器:作为DC-AC逆变级的功率开关器件,支持500V母线电压应用; ✅ 电磁加热与感应加热控制电路:可满足高频谐振拓扑(如LLC、半桥)对耐压、导通损耗及dv/dt鲁棒性的要求。 该器件优化了体二极管反向恢复特性,有助于降低开关损耗和EMI;其“F133”后缀表示符合AEC-Q101标准的工业级可靠性(非车规),适合高可靠性工业环境。需注意:实际应用中应配合合理栅极驱动(推荐±15 V驱动电压)、散热设计及过压/过流保护措施。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 48A TO-247MOSFET N-CH/500V/50A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 48 A |
| Id-连续漏极电流 | 48 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDH50N50_F133UniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDH50N50_F133 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 625 W |
| Pd-功率耗散 | 625 W |
| Qg-GateCharge | 105 nC |
| Qg-栅极电荷 | 105 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 89 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 89 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 360 ns |
| 下降时间 | 230 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6460pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 137nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 105 毫欧 @ 24A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 典型关闭延迟时间 | 225 ns |
| 功率-最大值 | 625W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 48A (Tc) |
| 系列 | FDH44N50 |
| 配置 | Single |