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  • 型号: FDH50N50_F133
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FDH50N50_F133产品简介:

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FDH50N50_F133 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型高压功率MOSFET,典型参数为:VDS = 500 V,ID(连续)= 50 A,RDS(on) ≈ 0.1 Ω(典型值),采用TO-247封装,具备快速开关特性和强雪崩耐受能力。

其主要应用场景包括:  
✅ 开关电源(SMPS):适用于AC-DC适配器、服务器/通信电源、工业电源中的主开关管或PFC(功率因数校正)升压开关;  
✅ 电机驱动:用于中小功率工业变频器、泵/风机控制、电动工具驱动电路中的逆变桥上臂/下臂开关;  
✅ 照明电子镇流器与LED驱动:在高压LED恒流驱动或高频荧光灯镇流器中承担高频斩波与能量转换功能;  
✅ 不间断电源(UPS)与逆变器:作为DC-AC逆变级的功率开关器件,支持500V母线电压应用;  
✅ 电磁加热与感应加热控制电路:可满足高频谐振拓扑(如LLC、半桥)对耐压、导通损耗及dv/dt鲁棒性的要求。

该器件优化了体二极管反向恢复特性,有助于降低开关损耗和EMI;其“F133”后缀表示符合AEC-Q101标准的工业级可靠性(非车规),适合高可靠性工业环境。需注意:实际应用中应配合合理栅极驱动(推荐±15 V驱动电压)、散热设计及过压/过流保护措施。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V 48A TO-247MOSFET N-CH/500V/50A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

48 A

Id-连续漏极电流

48 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDH50N50_F133UniFET™

数据手册

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产品型号

FDH50N50_F133

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

625 W

Pd-功率耗散

625 W

Qg-GateCharge

105 nC

Qg-栅极电荷

105 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

89 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

89 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

360 ns

下降时间

230 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6460pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

137nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

105 毫欧 @ 24A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247

典型关闭延迟时间

225 ns

功率-最大值

625W

包装

管件

单位重量

6.390 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

48A (Tc)

系列

FDH44N50

配置

Single

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