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- 型号： FDG329N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG329N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG329N价格参考。Fairchild SemiconductorFDG329N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDG329N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDG329N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDG329N 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用超小型TSOP-6封装（2.1mm × 1.6mm），具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅35mΩ @ VGS=4.5V）、低栅极电荷（Qg≈4.5nC）和快速开关特性。其额定电压为30V，连续漏极电流达2.9A（TS=25°C），适合低压、中电流、高效率的开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或USB端口保护电路； ✅ DC-DC转换器：作为同步整流MOSFET或主开关管，用于升压（Boost）、降压（Buck）及升降压（Buck-Boost）拓扑，提升转换效率； ✅ 电池供电系统：在锂电池充放电路径中用作理想二极管（配合控制器）或电池保护电路中的充/放电控制开关； ✅ 电机驱动与LED驱动：驱动小型直流电机（如振动马达、风扇）、RGB LED或OLED偏置电源，利用其快速响应与低功耗优势； ✅ 热插拔与电源排序电路：凭借小尺寸与低热阻，适用于空间受限的多电源轨系统中实现受控上电时序。 其TSOP-6封装支持高密度PCB布局，且符合RoHS与AEC-Q101（部分批次）标准，亦可用于部分工业与汽车后装场景。需注意：实际使用中应合理设计栅极驱动（避免振荡）、加装适当散热（尤其持续大电流工况），并确保VGS不超过±12V以保障可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDG329N |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 324pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Ta） |
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