Datasheet下载- 型号： FDFS2P102A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFS2P102A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFS2P102A价格参考。Fairchild SemiconductorFDFS2P102A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDFS2P102A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFS2P102A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFS2P102A 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款双N沟道功率MOSFET（集成两个独立的N沟道增强型MOSFET），采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约10.2mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度和优良的热性能。 其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的上下管配置，提升效率（尤其在中低功率适配器、POL模块中）； - 电机驱动：适用于小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，支持高频PWM控制； - 负载开关与电源管理：用作主板/嵌入式系统中的高效电源轨切换、电池保护电路或USB端口过流保护； - LED驱动与背光控制：在中等电流LED恒流驱动或LCD背光调光电路中作为开关器件； - 工业与消费电子：如打印机、POS终端、智能电表、IoT设备等对尺寸、效率和可靠性有要求的紧凑型电源设计。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1–2V），可直接由MCU GPIO控制；内置ESD防护与雪崩耐量设计，增强了系统鲁棒性。需注意其为双N沟道结构（非P+N组合），故在高边驱动时需自举电路配合。 综上，FDFS2P102A适用于需高效率、小体积及高集成度的中低功率电源与开关应用。（字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDFS2P102A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 182pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 3.3A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDFS2P102ADKR |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.3A （Ta） |
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