Datasheet下载- 型号： FDFS2P102
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFS2P102由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFS2P102价格参考。Fairchild SemiconductorFDFS2P102封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDFS2P102参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFS2P102 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFS2P102 是安森美（ON Semiconductor）推出的单通道 P 沟道增强型 MOSFET，采用双芯片集成封装（FDB/DFN-8），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 10.2 mΩ @ Vgs = –10 V）、高电流能力（ID = –10 A）及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：常用于同步降压转换器（Buck Converter）的高边或低边开关，尤其适配便携式设备（如笔记本电脑、平板）的 DC-DC 电源模块，提升能效与功率密度； 2. 负载开关：在主板、电池供电系统中作为智能负载开关，实现上电时序控制、浪涌电流抑制及系统级电源隔离； 3. 电机驱动：适用于小型直流电机（如风扇、微型泵）的 H 桥或半桥驱动电路中的 P-MOS 开关单元； 4. 热插拔与 eFuse 保护：凭借低 Rds(on) 和良好热性能，可配合驱动IC构建过流/短路保护电路； 5. 工业与消费类设备：如 LED 驱动电源、USB PD 适配器次级侧同步整流、电源多路复用（Power Path Management）等。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th) 约 –1.5 V 至 –2.5 V），兼容 3.3 V/5 V 控制信号，且具备内置ESD保护与雪崩耐量，可靠性高。需注意其为 P 沟道结构，通常用于高边配置或反向电流阻断场景，设计时应合理选配栅极驱动与散热方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDFS2P102 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 3.3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDFS2P102DKR |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.3A （Ta） |
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