Datasheet下载- 型号： FDFC3N108
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDFC3N108由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDFC3N108价格参考。Fairchild SemiconductorFDFC3N108封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDFC3N108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDFC3N108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDFC3N108 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的TrenchFET®技术，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅1.8mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=100A）和优异的开关性能。其封装为Power33（3.3mm×3.3mm DFN），具备高功率密度与良好热性能。 主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并减小体积； - 负载开关与电源管理：在主板、GPU供电、POL（Point-of-Load）模块中作为高效侧/高边开关，支持快速启停与过流保护； - 电动工具与电池管理系统（BMS）：适用于12V–48V电池组的充放电主开关，凭借低Rds(on)减少发热，延长续航； - LED驱动与电机控制：在中小功率无刷直流（BLDC）电机驱动H桥中用作功率开关，满足高频PWM调制需求。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.2V），兼容3.3V/5V MCU直接控制，简化驱动设计；内置ESD保护与雪崩额定能力（UIS），增强系统鲁棒性。综上，FDFC3N108适用于对效率、尺寸和可靠性要求严苛的中高功率电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDFC3N108 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 355pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
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