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Datasheet下载- 型号： FDD6780A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDD6780A产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6780A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供FDD6780A价格参考以及Fairchild SemiconductorFDD6780A封装/规格参数等产品信息。 你可以下载FDD6780A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有FDD6780A详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6780A 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为14mΩ @ Vgs=10V，22mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID=60A连续，240A脉冲）及快速开关特性。其逻辑电平驱动特性（Vgs(th)低至1.0–2.5V）使其可直接由3.3V或5V MCU、DSP或PWM控制器驱动，无需额外栅极驱动IC。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：用于同步整流BUCK/BOOST转换器的主开关或续流管，提升效率（尤其在12V输入、3.3V/5V/12V输出的通信电源、工业电源中）； ✅ 电机控制：适用于中小功率有刷直流电机驱动（如风扇、泵、电动工具）、H桥驱动中的上/下桥臂； ✅ 负载开关与电源管理：作为板级电源的热插拔保护、电池供电设备的主电源通断控制（如POS机、便携仪器）； ✅ LED照明驱动：用于恒流调光电路或LED阵列的PWM调光开关； ✅ 逆变器与UPS系统：在中小功率离线式逆变器中用作高频开关器件。 该器件具备雪崩耐受能力（UIS额定），增强系统鲁棒性；符合RoHS标准，适用于工业、通信、消费电子及汽车售后（非车规级）等对成本、效率和可靠性有平衡要求的场景。注意：非AEC-Q101认证，不可用于汽车前装核心系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAKMOSFET 25V 30A N-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 16.4 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD6780APowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD6780A |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 3 ns |
| 下降时间 | 3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1235pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.6 毫欧 @ 16.4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD6780ACT |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16.4A （Ta）， 30A （Tc） |
| 系列 | FDD6780 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
