Datasheet下载- 型号： FDD6606
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6606由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6606价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6606封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD6606参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD6606 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6606 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 22 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 18 A连续，50 A脉冲）及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步整流BUCK转换器、POL（负载点）电源模块中，作为主开关或同步整流管，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机（如风扇、水泵、电动工具）的H桥或单路驱动电路，支持PWM调速； 3. 电源管理与保护电路：用作电子保险丝（eFuse）、热插拔控制器中的功率开关，提供过流/短路保护； 4. LED驱动电源：在恒流LED驱动器中作为调光开关或续流路径控制器件； 5. 工业控制与消费电子：常见于打印机、POS终端、智能家电等设备的板载电源和负载开关电路。 该器件具备100%通过UIS（非钳位感性开关）测试、雪崩能量耐受能力强（EAS = 125 mJ），适合存在感性负载或瞬态应力的严苛环境。其逻辑电平兼容特性（VGS(th)低至1–2.5 V）便于直接由MCU或驱动IC控制，简化外围设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD6606 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 17A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Ta） |
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