Datasheet下载- 型号： FDD5N53TM_WS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD5N53TM_WS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD5N53TM_WS价格参考。Fairchild SemiconductorFDD5N53TM_WS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD5N53TM_WS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD5N53TM_WS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD5N53TM_WS 是安森美（ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有 500V 耐压、5.3A 连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on) 典型值 1.4Ω @ Vgs=10V）及快速开关特性。 其主要应用场景包括： ✅ 离线式开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源、电视/显示器待机电源中的高压侧开关或PFC电路开关管； ✅ 电机控制：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、家电（如风扇、水泵）的H桥上桥臂开关； ✅ 工业控制与电源管理：在PLC模块、继电器替代电路、电池管理系统（BMS）的高压隔离开关中承担电平切换与负载控制功能； ✅ 照明电子镇流器与智能照明系统：用于高频调光控制和高可靠性LED恒流驱动拓扑； ✅ 通用高压开关应用：如电表、安防设备、工业传感器供电模块中的隔离式电源开关。 该器件具备雪崩耐量（UIS）保证、增强型体二极管反向恢复特性及符合RoHS的绿色封装，适合对可靠性、效率和空间受限有要求的中高电压（≤500V）、中等电流（≤5A）开关场景。注意设计时需合理匹配栅极驱动（推荐Vgs ≥ 10V以确保充分导通）并做好热管理（TO-252封装需足够PCB铜箔散热）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 530V 4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD5N53TM_WS |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UniFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 640pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 530V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Tc） |
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