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- 型号： FDC6036P_F077
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC6036P_F077由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC6036P_F077价格参考。Fairchild SemiconductorFDC6036P_F077封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDC6036P_F077参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC6036P_F077 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC6036P_F077 是安森美（onsemi）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列（采用SOT-23-6封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值约45mΩ @ Vgs = –4.5V）、高开关速度及紧凑集成设计。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑中的负载开关、电池保护电路或背光LED驱动，利用其双P-MOSFET结构实现高效反向电流阻断与低功耗待机控制。 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管（尤其适用于低电压输出端），提升转换效率并减少发热。 3. H桥或半桥驱动辅助电路：常用于小功率电机驱动、USB接口电源开关等，配合N-MOSFET构成互补驱动，实现双向控制或电平位移。 4. 热插拔/浪涌保护电路：凭借快速关断能力与内置ESD防护（符合HBM 2kV），适用于USB、SATA等接口的过流/短路保护模块。 5. 逻辑电平转换与信号门控：在3.3V/5V系统中用作双向电平移位器或使能控制开关，支持宽范围输入电压（–0.3V至–12V）。 该器件不含铅、符合RoHS标准，适用于空间受限且对能效和可靠性要求较高的消费类与工业嵌入式系统。注意其为P沟道，需注意栅极驱动极性（负压关断、零/负压导通）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 6SSOT |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDC6036P_F077 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 992pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 44 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SSOT 扁平引线，SuperSOT™-6 FLMP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A |
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