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- 型号： FDB8878
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB8878由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB8878价格参考。Fairchild SemiconductorFDB8878封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB8878参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB8878 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB8878 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.5mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=90A连续，脉冲达360A）及优异的开关性能。 其主要应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； ✅ 电机驱动：适用于中大功率无刷直流（BLDC）电机控制器、电动工具及家电驱动电路，支持高频PWM调速； ✅ 电源管理与负载开关：在热插拔、电池保护、LED驱动等系统中用作高效、低损耗的主开关或OR-ing器件； ✅ 汽车电子辅助系统：虽非AEC-Q101认证车规级型号，但在部分车载充电模块、风扇控制等非安全关键场景中有应用（需设计冗余与降额使用）。 该器件具备强雪崩耐量、快速开关（tr/tf约15/10ns）及优化的体二极管反向恢复特性，适合高频、高效率、高功率密度设计。实际应用中需注意PCB散热设计、栅极驱动匹配（推荐12–15V驱动电压）及防止米勒效应引起的误导通。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB8878 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1235pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 47.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 48A （Tc） |
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