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- 型号： FDB8876
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB8876由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB8876价格参考。Fairchild SemiconductorFDB8876封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB8876参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB8876 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB8876 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263（D²PAK）封装，具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 4.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 90 A）及优良的开关性能。其典型应用场景包括： - DC-DC 电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流 Buck 转换器，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率 BLDC 电机控制（如风扇、泵、电动工具）的 H 桥或半桥功率级，支持高频 PWM 驱动； - 负载开关与电源管理：在热插拔电路、电池保护板、POL（Point-of-Load）模块中用作高效主开关； - 逆变器与UPS系统：在中小功率离线式逆变器中承担功率开关功能，配合驱动IC实现可靠通断。 该器件具有雪崩耐量（UIS rated）、175°C结温及优化的体二极管特性，适合高可靠性、中高功率密度的设计需求。需注意合理设计栅极驱动（避免振荡）、PCB散热（大面积铜箔/过孔散热）及SOA（安全工作区）裕量。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB8876 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 71A （Tc） |
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