【未分类_FDB6676】封装/厂家_FDB6676中文资料_价格

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型号： FDB6676
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDB6676由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB6676价格参考。Fairchild SemiconductorFDB6676封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FDB6676参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB6676 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDB6676 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美半导体 ON Semiconductor）推出的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263（D²PAK）封装，具有低导通电阻（R_DS(on) ≈ 14 mΩ @ V_GS = 10 V）、高电流能力（I_D = 80 A）及优良的开关性能。

其典型应用场景包括：  
✅ DC-DC 电源转换：广泛用于服务器/通信设备中的同步整流降压（Buck）转换器、VRM 模块，提升效率并降低温升；  
✅ 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机、步进电机的H桥驱动或PWM调速电路，支持高频开关（数十至百kHz）；  
✅ 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、工业控制板中用作主电源路径开关、热插拔保护或电池充放电管理中的高侧/低侧开关；  
✅ LED 驱动与照明系统：用于大电流 LED 恒流驱动或智能调光电路中的开关元件；  
✅ 逆变器与 UPS 系统：在小功率离线式逆变器中作为输出级开关器件（需配合驱动与保护电路）。

该器件具备雪崩耐受能力（UIS rated），适合应对感性负载关断时的电压尖峰；其优化的栅极电荷（Q_g ≈ 55 nC）兼顾开关速度与驱动损耗，适配主流栅极驱动IC。需注意 PCB 散热设计（建议大面积铜箔+过孔散热）以确保持续高电流下稳定工作。  

（注：Fairchild 已于2016年被安森美收购，FDB6676 现由 ON Semiconductor 继续量产与技术支持。）

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