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  • 型号: FDB6035AL
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDB6035AL由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB6035AL价格参考。Fairchild SemiconductorFDB6035AL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDB6035AL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB6035AL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDB6035AL 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道逻辑电平增强型功率MOSFET,采用DPAK(TO-252)封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 8.5 mΩ @ VGS = 10 V,典型值)、高电流能力(ID = 60 A)及快速开关特性。其逻辑电平驱动特性(VGS(th)低至1.0–2.0 V)使其可直接由3.3 V或5 V微控制器(如MCU、DSP、FPGA I/O)驱动,无需额外栅极驱动器。

典型应用场景包括:  
✅ DC-DC电源转换:用于同步整流BUCK/BOOST转换器的主开关或续流管,提升效率(尤其在12 V输入、3.3/5/12 V输出的通信电源、工业电源中);  
✅ 电机控制:中小功率有刷直流电机(如风扇、泵、电动工具)的H桥驱动单元中的高端/低端开关;  
✅ 负载开关与电源管理:作为板级电源的热插拔保护、电子保险丝或电池供电系统的主通断开关(支持过流/短路保护设计);  
✅ LED驱动:用于中大功率LED恒流调光电路的PWM开关器件;  
✅ 逆变器与UPS模块:在小功率离网逆变器中作为DC-AC桥臂开关元件之一。

该器件具备良好的雪崩耐量(UIS额定)和热稳定性,适用于工业控制、汽车电子(非安全关键系统,如车窗/座椅控制)、通信设备及消费类电源适配器等对效率、尺寸与成本敏感的应用。注意:实际设计中需配合合理PCB布局、栅极驱动电阻及散热措施以确保可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
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