图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FDB039N06
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB039N06由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB039N06价格参考。Fairchild SemiconductorFDB039N06封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB039N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB039N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB039N06 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.9 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=120A）及优异的开关性能。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流Buck/Boost转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中大功率无刷直流（BLDC）电机控制、电动工具、风扇及泵类驱动电路，支持高频PWM调速； 3. 电池管理系统（BMS）与电源保护：作为主充放电路径开关或电子保险丝（eFuse），利用其低Rds(on)减少压降和功耗； 4. 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），可用于车载DC/DC、LED照明驱动、座椅/车窗控制模块等非安全关键应用； 5. 工业电源与UPS：在逆变器、PFC前级及热插拔电路中承担高效率功率开关功能。 该器件具备强雪崩耐受能力、快速开关特性（tr/tf约15ns/20ns）及良好的SOA（安全工作区），适合高密度、高效率设计。使用时建议配合优化栅极驱动（如适当驱动电阻与负压关断）及PCB散热设计，以充分发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB039N06 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8235pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 133nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.9 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB039N06DKR |
| 功率-最大值 | 231W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FDB039N06 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商