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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FD1200R17HP4-K_B2由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FD1200R17HP4-K_B2价格参考。InfineonFD1200R17HP4-K_B2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FD1200R17HP4-K_B2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FD1200R17HP4-K_B2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FD1200R17HP4-K_B2 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的高性能高压IGBT模块(严格归类为“IGBT单管”,虽外形类似半桥模块,但B2后缀表明其为独立封装的单通道IGBT芯片+反并联二极管结构,符合“晶体管 - IGBT、MOSFET - 单”的分类)。该器件额定电压1700 V、额定电流1200 A(Tc=25°C),采用HV-IGBT4芯片与CAL4二极管,具备低导通压降(VCE(sat) ≈ 2.0 V)、优异的开关可控性及高短路耐受能力(10 µs)。 主要应用场景集中于大功率、高可靠性工业与能源系统: • 中高压变频驱动:如大型矿用/船舶推进电机、轧钢机主传动系统(0–1000 kW级); • 新能源发电:风电变流器(双馈/全功率型)中的网侧/机侧逆变单元,支撑1.5–3 MW风机; • 柔性输电与SVG/SVC:静止无功发生器、高压直流输电(HVDC)换流阀辅助电源或预充电回路; • 轨道交通:地铁/轻轨牵引变流器中的斩波或辅助供电模块; • 感应加热与激光电源:高频大电流谐振变换器主开关器件。 其K_B2版本优化了栅极电阻集成与热阻设计,支持更高开关频率(典型≤10 kHz)与紧凑散热布局,适用于对功率密度、效率及长期运行稳定性要求严苛的场景。需配合专用驱动(如1ED34xx系列)及水冷散热方案使用。