【FCX555TA/规格参数】厂家_FCX555TA中文资料_价格

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型号： FCX555TA
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FCX555TA产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FCX555TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供FCX555TA价格参考以及Diodes Inc.FCX555TA封装/规格参数等产品信息。你可以下载FCX555TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCX555TA详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FCX555TA 是 Diodes Incorporated 推出的一款 NPN 型通用双极结型晶体管（BJT），采用 SOT-89 表面贴装封装，具有高增益（hFE 典型值 200–450）、中等功率（P_D ≈ 500 mW）、最大集电极电流 I_C = 1 A、最高 V_CEO = 60 V。其紧凑封装与良好热性能适合空间受限的中功率应用。

典型应用场景包括：  
✅ 开关控制：常用于中小功率 DC-DC 转换器中的驱动级、LED 恒流/调光开关、继电器或小型电磁阀的基极驱动；  
✅ 信号放大：适用于音频前置放大、传感器信号调理（如温度、光敏电阻输出）等低频（f_T ≈ 150 MHz）小信号放大场景；  
✅ 电源管理：在线性稳压器（如 LDO 的调整管辅助电路）、电池供电设备的负载开关或过流保护电路中作为有源开关元件；  
✅ 工业与消费电子：广泛应用于家电控制板（如微波炉、空调主控）、打印机驱动、玩具电机控制及各类嵌入式系统中的逻辑电平转换与隔离驱动。

该器件具备良好的可靠性、符合 AEC-Q200（部分批次）及 RoHS 标准，亦适用于对成本和尺寸敏感的工业级设计。需注意：实际使用时应合理设计基极限流电阻，并在大电流或高频下考虑散热与饱和压降（V_CE(sat) ≈ 0.3 V @ I_C=500 mA）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR PNP 180V SOT-89两极晶体管 - BJT 180V H-Voltage PNP Switching Transistor
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Diodes Incorporated
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FCX555TA-
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产品型号	FCX555TA
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	400mV @ 25mA，250mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	100 @ 100mA，5V
产品目录绘图
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产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	SOT-89-3
其它名称	FCX555TR
功率-最大值	2.1W
包装	带卷（TR）
发射极-基极电压VEBO	7 V
商标	Diodes Incorporated
增益带宽产品fT	100 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-243AA
封装/箱体	SOT-89
工厂包装数量	1000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	2100 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.7 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1,000
电压-集射极击穿（最大值）	180V
电流-集电极(Ic)（最大值）	700mA
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	100
直流集电极/BaseGainhfeMin	100
系列	FCX555
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	180 V
集电极—基极电压VCBO	180 V
频率-跃迁	100MHz