Datasheet下载- 型号： FCI25N60N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCI25N60N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCI25N60N价格参考。Fairchild SemiconductorFCI25N60N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FCI25N60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCI25N60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的 FCI25N60N 是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的单个MOSFET器件。该器件额定电压为600V，最大连续漏极电流可达25A，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。 FCI25N60N 主要应用于需要高压和大电流处理能力的场景，如开关电源（SMPS）、服务器和通信电源、工业电源系统、太阳能逆变器、电机驱动以及不间断电源（UPS）等。其高耐压特性使其特别适合在交流-直流（AC-DC）和直流-直流（DC-DC）转换器中使用，可有效降低导通损耗，提高整体能效。 此外，该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的热传导性能，可在较高工作温度下稳定运行，适用于紧凑型高功率设计。在节能与环保要求日益提升的背景下，FCI25N60N广泛用于符合能源之星或80 PLUS标准的高效电源产品中。 综上，FCI25N60N凭借其高电压、大电流、低损耗和高可靠性，成为工业、通信和新能源领域中关键功率转换应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FCI25N60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SupreMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3352pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 74nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 12.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 216W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Tc） |
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