Datasheet下载- 型号： EMH2411R-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMH2411R-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMH2411R-TL-H价格参考。ON SemiconductorEMH2411R-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMH2411R-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMH2411R-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的EMH2411R-TL-H是一款双N沟道增强型MOSFET阵列（采用TSOP-6封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值约28 mΩ @ Vgs=4.5V）、高开关速度及紧凑集成设计。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑中的负载开关、电池保护电路或DC-DC转换器的同步整流，利用其低导通损耗提升能效与续航。 - LED驱动与背光控制：在小型LCD/OLED显示屏背光模块中，作为高效、低热耗的PWM调光开关，支持快速响应与精确亮度调节。 - 电机驱动（微型）：适用于小功率有刷直流电机（如振动马达、摄像头对焦机构）的H桥或半桥驱动，双MOSFET结构便于简化外围电路设计。 - USB/Type-C接口保护与切换：用于过流保护、端口供电路径控制或数据线ESD防护后的信号切换，满足高可靠性与小尺寸要求。 - 工业传感器与IoT节点：在低功耗无线传感节点中，作为传感器供电使能开关或MCU外设电源门控器件，降低待机功耗。 该器件支持3.3V/5V逻辑电平驱动，具备±2kV HBM ESD防护，工作结温范围-55℃~+150℃，适合空间受限且需高可靠性的中低功率开关应用。注意其最大漏源电压为20V，不适用于高压场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 5A EMH8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | EMH2411R-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 36.5 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-EMH |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A |
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