图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： EMH2308-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMH2308-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMH2308-TL-E价格参考。ON SemiconductorEMH2308-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMH2308-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMH2308-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 EMH2308-TL-E 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用 TSOP-6 封装），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 24 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷、逻辑电平驱动（1.8 V 可完全开启）及高开关效率等特点。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关、电池充放电路径控制及背光 LED 驱动，利用其小尺寸和低功耗优势； - DC-DC 转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中作为同步整流管，提升转换效率（尤其在 1–5 A 中小功率段）； - 电机驱动与负载控制：适用于微型直流电机（如振动马达、风扇）、电磁阀或继电器驱动电路，支持 PWM 调速与快速关断； - USB 接口保护与热插拔控制：配合限流/过压保护 IC，实现 USB Type-C 或 PD 端口的电源路径管理与反向电流阻断； - LED 驱动与多路负载切换：用于 RGB LED 分组调光、显示屏区域背光控制等需独立开关的多路低压（≤20 V）负载场景。 该器件额定电压为 20 V，连续漏极电流达 5.5 A（TA），具备 ESD 保护（HBM 2 kV）与无铅 RoHS 合规特性，适合空间受限、高能效要求的消费类与工业嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 30V 3A ECH8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | EMH2308-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 320pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-EMH |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
EMH2308-TL-E 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商