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  • 型号: DXT790AP5-13
  • 制造商: Diodes Inc.
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DXT790AP5-13产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP 40V 3A POWERDI5两极晶体管 - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 40V,3A

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DXT790AP5-13-

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产品型号

DXT790AP5-13

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

450mV @ 300mA,3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

300 @ 10mA,2V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

PowerDI™ 5

其它名称

DXT790AP5-13TR
DXT790AP513

功率-最大值

3.2W

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerDI™ 5

封装/箱体

PowerDI5-3

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

3.2 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 6 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

5,000

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3A

电流-集电极截止(最大值)

20nA

直流电流增益hFE最大值

800

直流集电极/BaseGainhfeMin

300

系列

DXT790AP5

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 40 V

集电极—基极电压VCBO

- 50 V

集电极—射极饱和电压

- 170 mV

集电极连续电流

- 3 A

频率-跃迁

100MHz

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