Datasheet下载- 型号： DTD513ZETL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTD513ZETL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTD513ZETL价格参考￥0.53-￥0.54。ROHM SemiconductorDTD513ZETL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DTD513ZETL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTD513ZETL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DTD513ZETL 是由罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款预偏置双极性晶体管（BJT），主要用于需要高稳定性和集成度的电路设计中。该器件将晶体管与偏置电阻集成在一个封装中，简化了外围电路设计，提高了可靠性。 应用场景包括： 1. 逻辑电平转换：适用于数字电路中不同电压域之间的信号转换，如将3.3V系统与5V系统进行接口。 2. 开关电路：在小型继电器驱动、LED驱动或小功率负载控制中广泛使用，因其内置偏置电阻可直接由MCU控制。 3. 放大器前置级：用于音频或传感器信号的小信号放大，提供稳定的偏置工作点。 4. 工业自动化设备：如PLC模块、传感器接口电路中，提高系统的稳定性和抗干扰能力。 5. 消费类电子产品：如打印机、扫描仪、家电控制器等，实现紧凑化设计和低成本方案。 该晶体管具有SMT封装，适合自动化贴片生产，广泛应用于中低功率的通用电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTD513ZETL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTD513ZETL |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 140 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | EMT3 |
| 典型电阻器比率 | 10 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | EMT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 140 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极连续电流 | 500 mA |
| 频率-跃迁 | 260MHz |
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