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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC143TM3T5H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC143TM3T5H价格参考。ON SemiconductorDTC143TM3T5H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DTC143TM3T5H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC143TM3T5H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DTC143TM3T5H 是安森美(ON Semiconductor)推出的NPN型数字晶体管(Digital Transistor),内置基极-发射极电阻(R1=47 kΩ)和基极-发射极并联电阻(R2=47 kΩ),采用SOT-723超小型封装。其典型应用为低功耗、高密度的信号开关与逻辑电平转换场景。 主要应用场景包括: - 微控制器I/O口驱动:直接连接MCU GPIO(如3.3V/5V系统),无需外置偏置电阻,简化PCB设计,驱动LED、小功率继电器或MOSFET栅极; - 便携式电子设备:因SOT-723封装尺寸仅1.2×0.8×0.5 mm,适用于TWS耳机、智能手表、可穿戴设备等对空间敏感的产品; - 电池供电设备的电源管理:作为负载开关控制外围模块(如传感器、无线模块)的供电通断,降低待机功耗; - 数字逻辑接口匹配:在不同电压域(如1.8V MCU与3.3V外设间)实现电平位移与电流放大; - 消费类家电控制板:用于按键扫描、状态指示、蜂鸣器驱动等中低速开关功能。 该器件具备±50 mA连续集电极电流、50 V集电极-发射极击穿电压、典型直流电流增益(hFE)达100–200(IC = 10 mA),且具有良好的温度稳定性与ESD防护能力(HBM ≥ 2 kV),适合工业级及消费级可靠应用。需注意避免在高频(>100 kHz)或大电流(>100 mA)场景下使用,因其非通用功率BJT,设计时应校验功耗与饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.3 V @ IC = 10 mA)。