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  • 型号: DTC115TUAT106
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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DTC115TUAT106产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 100MA

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC115TUAT106-

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产品型号

DTC115TUAT106

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 100µA, 1mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

UMT3

其它名称

DTC115TUAT106DKR

典型输入电阻器

100 kOhms

功率-最大值

200mW

功率耗散

200 mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

UMT-3

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA(ICBO)

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

100k

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

100 mA

频率-跃迁

250MHz

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