Datasheet下载- 型号： DTA115EET1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTA115EET1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTA115EET1价格参考。ON SemiconductorDTA115EET1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DTA115EET1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTA115EET1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DTA115EET1 是安森美（ON Semiconductor）推出的PNP型数字晶体管（即带内置偏置电阻的预偏置BJT），集成了一个100kΩ基极-发射极上拉电阻（R₁）和一个100kΩ基极-地（或发射极）下拉电阻（R₂），实现1:1的R₁/R₂比值，β≈100。其典型VCEO = -50V，IC = -100mA，适合低功耗开关应用。 主要应用场景包括： ✅ 逻辑电平接口转换：将3.3V/5V MCU（如STM32、Arduino）的GPIO信号直接驱动负载，无需外置偏置电阻，简化PCB设计； ✅ 小功率负载开关：控制LED指示灯、蜂鸣器、继电器线圈（≤100mA）、小型电磁阀等； ✅ 反相器/电平反相电路：利用PNP结构实现输入高电平输出低电平的逻辑反相功能； ✅ 电池供电设备中的省电控制：因内置下拉电阻可确保关断时基极可靠接地，避免漏电流导致的误开启，提升待机可靠性； ✅ 空间受限的便携设备：SOT-23封装（2.9×1.3×1.0mm），适用于TWS耳机、智能穿戴、IoT传感器节点等对尺寸敏感的应用。 注意：该器件不适用于线性放大或高频开关（fT较低），也不建议用于大电流或高压（>50V）场景。设计时需校验实际负载下的饱和压降（VCE(sat) ≈ -0.3V @ IC=−10mA）及功耗（PD ≤ 200mW）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DTA115EET1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-75，SOT-416 |
| 其它名称 | DTA115EET1OS |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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