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详细数据请看参考数据手册
- 型号： DS1265AB-100
- 制造商： Maxim
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DS1265AB-100由Maxim设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DS1265AB-100价格参考。MaximDS1265AB-100封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DS1265AB-100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DS1265AB-100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DS1265AB-100 是 Maxim Integrated（现属 Analog Devices）推出的一款非易失性静态RAM（NV SRAM），属于存储器类别。其核心特点是：内置锂电池、无需外部备用电源即可实现“掉电数据不丢失”，容量为64K×8位（512Kb），访问时间100ns，采用DIP-28封装。 主要应用场景包括： - 工业控制与PLC系统：在断电瞬间自动保存运行参数、计数器值、故障日志等关键状态数据，保障系统重启后连续可靠运行； - 医疗设备：用于监护仪、输液泵等需高可靠性数据暂存的场合，确保患者设置、报警阈值、历史测量数据在意外断电时不丢失； - 通信设备：在基站、交换机或路由器中缓存配置信息、MAC地址表或会话状态，提升故障恢复速度； - 嵌入式仪表与智能电表：长期记录用电量、事件记录（如失压、断相）、校准参数等，满足计量法规对数据完整性的严苛要求； - 军事/航空电子：适用于宽温、高可靠性环境，作为安全关键型系统的实时数据缓冲与断电保护存储。 该器件通过“写使能+自动切换”机制，在主电源失效时毫秒级无缝切换至片内锂电供电，完成SRAM内容保持，典型数据保持时间达10年以上。因其免外部电池管理、零软件开销、读写时序与标准SRAM完全兼容，特别适合对数据可靠性、设计简洁性和长期免维护有高要求的嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 8MBIT 100NS 36EDIP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Maxim Integrated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DS1265AB-100 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 36-EDIP |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 8M（1M x 8） |
| 封装/外壳 | 36-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 9 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 速度 | 100ns |
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