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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DS1250Y-100IND+由Maxim设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DS1250Y-100IND+价格参考¥450.58-¥450.58。MaximDS1250Y-100IND+封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DS1250Y-100IND+参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DS1250Y-100IND+ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Maxim Integrated的DS1250Y-100IND+是一款静态随机存取存储器(SRAM),具有1024K(128K x 8)的存储容量,访问速度为100MHz,适用于需要高速数据存取的工业级应用场景。该器件采用高性能CMOS工艺制造,具备低功耗、高速度和非易失性(通过备用电源)等特点,适合在断电情况下仍需保持数据不丢失的应用。 DS1250Y-100IND+的典型应用场景包括: 1. 工业控制系统:用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业计算机和自动化设备中,作为高速缓存或临时数据存储。 2. 通信设备:如路由器、交换机和基站控制器,用于快速存储和处理通信数据。 3. 测试与测量仪器:用于示波器、频谱分析仪等精密仪器中,作为数据缓冲和高速采集存储。 4. 医疗设备:在医疗成像设备和监护系统中,用于临时存储关键数据,确保断电时数据不丢失。 5. 嵌入式系统:在需要高可靠性和高速存取的嵌入式系统中,如车载控制系统和安防监控设备。 由于其工业级温度范围(-40°C至+85°C)和高可靠性设计,DS1250Y-100IND+广泛应用于对稳定性要求较高的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIPNVRAM 4096K NV SRAM |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Maxim Integrated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,NVRAM,Maxim Integrated DS1250Y-100IND+- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DS1250Y-100IND+ |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25703http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25705 |
| 产品种类 | NVRAM |
| 供应商器件封装 | 32-EDIP |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Maxim Integrated |
| 存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
| 存储容量 | 4 Mbit |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 32-DIP 模块(0.600",15.24mm) |
| 封装/箱体 | EDIP-32 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工作电流 | 85 mA |
| 工厂包装数量 | 11 |
| 应用说明 | 点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet |
| 接口 | 并联 |
| 接口类型 | Parallel |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 系列 | DS1250Y |
| 组织 | 512 k x 8 |
| 访问时间 | 100 ns |
| 速度 | 100ns |
| 零件号别名 | 90-1250Y+10I DS1250Y |