【未分类_DS1230AB-200IND】封装/厂家_DS1230AB-200IND中文资料_价格

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型号： DS1230AB-200IND
制造商： Maxim
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供DS1230AB-200IND由Maxim设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DS1230AB-200IND价格参考。MaximDS1230AB-200IND封装/规格：未分类，暂无。您可以下载DS1230AB-200IND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DS1230AB-200IND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

DS1230AB-200IND是Maxim Integrated（现属Analog Devices）推出的非易失性静态RAM（NV SRAM），属于“存储器”类别。其核心特点是：256Kbit（32K × 8）容量、内置锂电池（可提供10年以上数据保持）、无需外部备用电源管理、读写速度达200ns（-200后缀即表示200ns访问时间），工作温度范围为–40°C 至 +85°C（IND工业级）。

典型应用场景包括：  
1. 工业控制系统：PLC、DCS等设备中保存关键运行参数、校准数据或故障日志，断电时自动无缝切换至内部电池供电，确保数据零丢失；  
2. 医疗电子设备：如监护仪、输液泵，用于实时缓存患者生命体征或治疗设置，满足高可靠性与数据完整性要求；  
3. 智能电表/水气表：在电网波动或更换电池期间持续记录用电量、事件时间戳等计量数据，符合国家计量标准对数据安全性的强制要求；  
4. 通信设备：基站、交换机中的配置寄存器或告警缓冲区，保障掉电瞬间关键状态信息不丢失；  
5. 嵌入式终端与POS机：作为安全可靠的“类EEPROM”替代方案，避免传统EEPROM写入慢、寿命有限（约10万次）的缺陷，支持无限次读写。

需注意：该器件已停产（EOL），属经典老型号，当前多用于维护既有工业设备或对长期供货稳定性有特殊要求的场景，新设计建议评估AD/Maxim推荐的替代方案（如带外部超级电容的NV SRAM或FRAM）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
产品分类	存储器
品牌	Maxim Integrated
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	DS1230AB-200IND
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	28-EDIP
包装	管件
存储器类型	NVSRAM（非易失 SRAM）
存储容量	256K （32K x 8）
封装/外壳	28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
工作温度	-40°C ~ 85°C
应用说明	点击此处下载产品Datasheet
接口	并联
标准包装	12
格式-存储器	RAM
电压-电源	4.75 V ~ 5.25 V
速度	200ns