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产品简介:
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DS1230AB-150是Maxim Integrated(现属Analog Devices)推出的非易失性静态RAM(NV SRAM),内置锂电池,容量为64K × 8(512 Kbit),访问时间为150 ns。其核心特点是“无需外部写保护、掉电自动保存数据”,兼具SRAM的高速读写与EEPROM/Flash的数据持久性。 典型应用场景包括: 1. 工业控制与PLC系统:用于保存实时运行参数、校准数据、故障日志等关键信息,在断电或系统重启时确保数据零丢失; 2. 医疗电子设备:如监护仪、输液泵中存储患者设置、报警阈值及操作历史,满足高可靠性与数据完整性要求; 3. 通信设备:在基站、路由器或交换机中缓存配置信息和状态变量,支持热插拔与快速恢复; 4. 智能电表与能源管理系统:长期记录用电数据、事件时间戳及密钥信息,符合计量设备对10年以上数据保持的严苛要求(内置锂电典型寿命≥10年); 5. 军事/航空嵌入式系统:在宽温、高振动、供电不稳环境下,提供抗干扰、免刷新、即时存取的可靠数据暂存方案。 该器件采用DIP-28封装,兼容标准SRAM接口,可直接替换普通SRAM,简化设计升级。需注意其内置电池不可更换,设计时应评估整机生命周期与电池有效期匹配性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 256KBIT 150NS 28EDIP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Maxim Integrated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | DS1230AB-150 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-EDIP |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
| 存储容量 | 256K (32K x 8) |
| 封装/外壳 | 28-DIP 模块(0.600",15.24mm) |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 应用说明 | |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 12 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 速度 | 150ns |