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产品简介:
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Maxim Integrated(现为Analog Devices子公司)的DS1225AD-200IND是一款非易失性SRAM模块,属于存储器类别。该器件将静态RAM与内置锂电池和检测控制电路集成于单一封装中,确保在主电源断电时数据不丢失。 DS1225AD-200IND广泛应用于需要高可靠性数据存储的工业和嵌入式系统中。典型应用场景包括:工业控制系统中的参数与配置保存,如PLC设备、数控机床;通信设备中的网络配置与日志缓存;医疗仪器中用于存储校准数据和患者设置;以及POS终端、自动售货机等商业设备中保存交易记录和运行状态。 其200纳秒的快速访问速度支持高速数据读写,适合替代传统EEPROM或Flash,在频繁写入且要求低延迟的场合更具优势。此外,该芯片具备宽温工作范围(工业级温度),适用于恶劣环境下的长期稳定运行。 由于集成了电池和存储器,DS1225AD-200IND简化了电路设计,减少了外部元件需求,提高了系统可靠性,是无外部备用电源条件下实现“掉电不丢数据”的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 64KBIT 200NS 28EDIP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Maxim Integrated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | DS1225AD-200IND |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 28-EDIP |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
| 存储容量 | 64K (8K x 8) |
| 封装/外壳 | 28-DIP 模块(0.600",15.24mm) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 12 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 200ns |